IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) або біполярний силовий транзистор із ізольованим затвором – елемент із двох транзисторів у загальній напівпровідниковій структурі, влаштований за каскадною схемою. Біполярний транзистор утворює силовий канал, польовий канал управління.